Введите слово или словосочетание на любом языке 👆
Язык:
Перевод и анализ слов искусственным интеллектом ChatGPT
На этой странице Вы можете получить подробный анализ слова или словосочетания, произведенный с помощью лучшей на сегодняшний день технологии искусственного интеллекта:
- как употребляется слово
- частота употребления
- используется оно чаще в устной или письменной речи
- варианты перевода слова
- примеры употребления (несколько фраз с переводом)
- этимология
Что (кто) такое Гибридная интегральная схема - определение
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, В КОТОРОЙ НАРЯДУ С ЭЛЕМЕНТАМИ, НЕРАЗЪЁМНО СВЯЗАННЫМИ НА ПОВЕРХНОСТИ ИЛИ В ОБЪЁМЕ ПОДЛОЖКИ, ИСПОЛЬЗУЮТСЯ НАВЕСНЫЕ МИКР
Микросборка; Гибридная интегральная схема
Найдено результатов: 153
Гибридная интегральная схема
гибридная микросхема, Интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.
Резисторы, конденсаторы, контактные площадки и электрические проводники в Г. и. с. изготовляют либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакуумных установках (метод напыления через маски, метод фотолитографии), либо нанесением их в виде плёнок (химические способы, метод шёлкографии и др.). Навесные элементы крепят на одной подложке с. плёночными элементами, а их выводы присоединяют к соответствующим контактным площадкам пайкой или сваркой. Г. и. с.., как правило, помещают в корпус и герметизируют. Применение Г. и. с. в электронной аппаратуре повышает её надёжность, уменьшает габариты и массу.
И. Е. Ефимов.
МИКРОСХЕМА
![[[ПЗС]]-линейка из [[факс]]а](https://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/CCD line sensor.JPG?width=200 "[[ПЗС]]-линейка из [[факс]]а")
МИКРОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО НА КРИСТАЛЛЕ КРЕМНИЯ
Микросхема; Интегральная микросхема; Микрочип; Видеочип; Интегральные микросхемы; Классификация микросхем по степени интеграции (СССР); Степень интеграции; Классификация микросхем по степени интеграции в СССР; Большая интегральная схема; СБИС; Логические микросхемы; Интегральный чип; Микросхемы; ИМС; Топологии интегральных микросхем; Аналоговая интегральная схема; Аналоговая интегральная микросхема; Кристалл (микроэлектроника); Цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая микросхема; Цифровые схемы; Цифровая схема; Аналоговая микроэлектроника; Цифровая микроэлектроника; Аналоговая схема; Аналоговые схемы; Цифровая микросхема; Аналоговая микросхема; Аналого-цифровая схема; Логическая микросхема; Логическая схема; Производство микросхем; Подложка микросхемы
см. Интегральная схема.
Интегральная схема
МИКРОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО НА КРИСТАЛЛЕ КРЕМНИЯ
Микросхема; Интегральная микросхема; Микрочип; Видеочип; Интегральные микросхемы; Классификация микросхем по степени интеграции (СССР); Степень интеграции; Классификация микросхем по степени интеграции в СССР; Большая интегральная схема; СБИС; Логические микросхемы; Интегральный чип; Микросхемы; ИМС; Топологии интегральных микросхем; Аналоговая интегральная схема; Аналоговая интегральная микросхема; Кристалл (микроэлектроника); Цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая микросхема; Цифровые схемы; Цифровая схема; Аналоговая микроэлектроника; Цифровая микроэлектроника; Аналоговая схема; Аналоговые схемы; Цифровая микросхема; Аналоговая микросхема; Аналого-цифровая схема; Логическая микросхема; Логическая схема; Производство микросхем; Подложка микросхемы
Интегра́льная схе́ма (ИС, ИМС, ); микросхе́ма, м/с, чип (: «тонкая пластинка»: первоначально термин относился к пластинке кристалла микросхемы) — микроэлектронное устройство — электронная схема произвольной сложности (кристалл), изготовленная на полупроводниковой подложке (пластине или плёнке) и помещённая в неразборный корпус или без такового в случае вхождения в состав микросборки.
ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА
МИКРОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО НА КРИСТАЛЛЕ КРЕМНИЯ
Микросхема; Интегральная микросхема; Микрочип; Видеочип; Интегральные микросхемы; Классификация микросхем по степени интеграции (СССР); Степень интеграции; Классификация микросхем по степени интеграции в СССР; Большая интегральная схема; СБИС; Логические микросхемы; Интегральный чип; Микросхемы; ИМС; Топологии интегральных микросхем; Аналоговая интегральная схема; Аналоговая интегральная микросхема; Кристалл (микроэлектроника); Цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая микросхема; Цифровые схемы; Цифровая схема; Аналоговая микроэлектроника; Цифровая микроэлектроника; Аналоговая схема; Аналоговые схемы; Цифровая микросхема; Аналоговая микросхема; Аналого-цифровая схема; Логическая микросхема; Логическая схема; Производство микросхем; Подложка микросхемы
см. Интегральная схема.
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
МИКРОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО НА КРИСТАЛЛЕ КРЕМНИЯ
Микросхема; Интегральная микросхема; Микрочип; Видеочип; Интегральные микросхемы; Классификация микросхем по степени интеграции (СССР); Степень интеграции; Классификация микросхем по степени интеграции в СССР; Большая интегральная схема; СБИС; Логические микросхемы; Интегральный чип; Микросхемы; ИМС; Топологии интегральных микросхем; Аналоговая интегральная схема; Аналоговая интегральная микросхема; Кристалл (микроэлектроника); Цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая микросхема; Цифровые схемы; Цифровая схема; Аналоговая микроэлектроника; Цифровая микроэлектроника; Аналоговая схема; Аналоговые схемы; Цифровая микросхема; Аналоговая микросхема; Аналого-цифровая схема; Логическая микросхема; Логическая схема; Производство микросхем; Подложка микросхемы
(ИС , интегральная микросхема, микросхема), микроминиатюрное электронное устройство, элементы которого неразрывно связаны (объединены) конструктивно, технологически и электрически. ИС подразделяются: по способу объединения (интеграции) элементов - на полупроводниковые, или монолитные (основной тип), пленочные и гибридные (в т. ч. многокристальные); по виду обрабатываемой информации - на цифровые и аналоговые; по степени интеграции элементов - на малые, ИС со средней степенью интеграции, большие (БИС) и сверхбольшие (СБИС).
БОЛЬШАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
МИКРОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО НА КРИСТАЛЛЕ КРЕМНИЯ
Микросхема; Интегральная микросхема; Микрочип; Видеочип; Интегральные микросхемы; Классификация микросхем по степени интеграции (СССР); Степень интеграции; Классификация микросхем по степени интеграции в СССР; Большая интегральная схема; СБИС; Логические микросхемы; Интегральный чип; Микросхемы; ИМС; Топологии интегральных микросхем; Аналоговая интегральная схема; Аналоговая интегральная микросхема; Кристалл (микроэлектроника); Цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая микросхема; Цифровые схемы; Цифровая схема; Аналоговая микроэлектроника; Цифровая микроэлектроника; Аналоговая схема; Аналоговые схемы; Цифровая микросхема; Аналоговая микросхема; Аналого-цифровая схема; Логическая микросхема; Логическая схема; Производство микросхем; Подложка микросхемы
(БИС) , интегральная схема с высокой степенью интеграции (число элементов в ней достигает 104), используемая в электронной аппаратуре как функционально законченный узел устройств вычислительной техники, автоматики, измерительной техники и др.
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
МИКРОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО НА КРИСТАЛЛЕ КРЕМНИЯ
Микросхема; Интегральная микросхема; Микрочип; Видеочип; Интегральные микросхемы; Классификация микросхем по степени интеграции (СССР); Степень интеграции; Классификация микросхем по степени интеграции в СССР; Большая интегральная схема; СБИС; Логические микросхемы; Интегральный чип; Микросхемы; ИМС; Топологии интегральных микросхем; Аналоговая интегральная схема; Аналоговая интегральная микросхема; Кристалл (микроэлектроника); Цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая микросхема; Цифровые схемы; Цифровая схема; Аналоговая микроэлектроника; Цифровая микроэлектроника; Аналоговая схема; Аналоговые схемы; Цифровая микросхема; Аналоговая микросхема; Аналого-цифровая схема; Логическая микросхема; Логическая схема; Производство микросхем; Подложка микросхемы
микроэлектронная схема, сформированная на крошечной пластинке (кристаллике, или "чипе") полупроводникового материала, обычно кремния, которая используется для управления электрическим током и его усиления. Типичная ИС состоит из множества соединенных между собой микроэлектронных компонентов, таких, как транзисторы, резисторы, конденсаторы и диоды, изготовленные в поверхностном слое кристалла. Размеры кремниевых кристаллов лежат в пределах от примерно 1,3?1,3 мм до 13?13 мм. Прогресс в области интегральных схем привел к разработке технологий больших и сверхбольших интегральных схем (БИС и СБИС). Эти технологии позволяют получать ИС, каждая из которых содержит многие тысячи схем: в одном чипе может насчитываться более 1 млн. компонентов. См. также ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
.
.
Интегральные схемы обладают целым рядом преимуществ перед своими предшественниками - схемами, которые собирались из отдельных компонентов, монтируемых на шасси. ИС имеют меньшие размеры, более высокие быстродействие и надежность; они, кроме того, дешевле и в меньшей степени подвержены отказам, вызываемым воздействиями вибраций, влаги и старения.
Миниатюризация электронных схем оказалась возможной благодаря особым свойствам полупроводников. Полупроводник - это материал, обладающий гораздо большей электропроводностью (проводимостью), чем такой диэлектрик, как стекло, но существенно меньшей, чем проводники, например, медь. В кристаллической решетке такого полупроводникового материала, как кремний, при комнатной температуре имеется слишком мало свободных электронов, чтобы обеспечить значительную проводимость. Поэтому чистые полупроводники обладают низкой проводимостью. Однако введение в кремний соответствующей примеси увеличивает его электрическую проводимость. См. также ТРАНЗИСТОР
.
.
Легирующие примеси вводят в кремний двумя методами. Для сильного легирования или в тех случаях, когда точное регулирование количества вводимой примеси необязательно, обычно пользуются методом диффузии. Диффузию фосфора или бора выполняют, как правило, в атмосфере легирующей примеси при температурах между 1000 и 1150. С в течение от получаса до нескольких часов. При ионной имплантации кремний бомбардируют высокоскоростными ионами легирующей примеси. Количество имплантируемой примеси можно регулировать с точностью до нескольких процентов; точность в ряде случаев важна, поскольку коэффициент усиления транзистора зависит от числа примесных атомов, имплантированных на 1 см2 базы (см. ниже).
Производство. Изготовление интегральной схемы может занимать до двух месяцев, поскольку некоторые области полупроводника нужно легировать с высокой точностью. В ходе процесса, называемого выращиванием, или вытягиванием, кристалла, сначала получают цилиндрическую заготовку кремния высокой чистоты. Из этого цилиндра нарезают пластины толщиной, например, 0,5 мм. Пластину в конечном счете режут на сотни маленьких кусочков, называемых чипами, каждый из которых в результате проведения описываемого ниже технологического процесса превращается в интегральную схему.
Процесс обработки чипов начинается с изготовления масок каждого слоя ИС. Выполняется крупномасштабный трафарет, имеющий форму квадрата площадью ок. 0,1 м2. На комплекте таких масок содержатся все составляющие части ИС: уровни диффузии, уровни межсоединений и т.п. Вся полученная структура фотографически уменьшается до размера кристаллика и воспроизводится послойно на стеклянной пластине. На поверхности кремниевой пластины выращивается тонкий слой двуокиси кремния. Каждая пластина покрывается светочувствительным материалом (фоторезистом) и экспонируется светом, пропускаемым через маски. Неэкспонированные участки светочувствительного покрытия удаляют растворителем, а с помощью другого химического реагента, растворяющего двуокись кремния, последний вытравливается с тех участков, где он теперь не защищен светочувствительным покрытием. Варианты этого базового технологического процесса используются в изготовлении двух основных типов транзисторных структур: биполярных и полевых (МОП).
Биполярный транзистор. Такой транзистор имеет структуру типа n-p-n или, намного реже, типа p-n-p. Обычно технологический процесс начинается с пластины (подложки) сильно легированного материала p-типа. На поверхности этой пластины эпитаксиально выращивается тонкий слой слабо легированного кремния n-типа; таким образом, выращенный слой имеет ту же самую кристаллическую структуру, что и подложка. Этот слой должен содержать активную часть транзистора - в нем будут сформированы индивидуальные коллекторы. Пластина сначала помещается в печь с парами бора. Диффузия бора в кремниевую пластину происходит только там, где ее поверхность подверглась обработке травлением. В результате формируются области и окна из материала n-типа. Второй высокотемпературный процесс, в котором используются пары фосфора и другая маска, служит для формирования контакта с коллекторным слоем. Проведением последовательных диффузий бора и фосфора формируются соответственно база и эмиттер. Толщина базы обычно составляет несколько микрон. Эти крошечные островки проводимостей n- и p-типа соединяются в общую схему посредством межсоединений, выполненных из алюминия, осаждаемого из паровой фазы или наносимого напылением в вакууме. Иногда для этих целей используются такие благородные металлы, как платина и золото. Транзисторы и другие схемные элементы, например резисторы, конденсаторы и индуктивности, вместе с соответствующими межсоединениями могут формироваться в пластине методами диффузии в ходе последовательности операций, создавая в итоге законченную электронную схему. См. также ТРАНЗИСТОР
.
.
МОП-транзистор. Наибольшее распространение получила МОП (металл-окисел-полупроводник) - структура, состоящая из двух близко расположенных областей кремния n-типа, реализованных на подложке p-типа. На поверхности кремния наращивается слой его двуокиси, а поверх этого слоя (между областями n-типа и слегка захватывая их) формируется локализованный слой металла, выполняющий роль затвора. Две упомянутые выше области n-типа, называемые истоком и стоком, служат соединительными элементами для входа и выхода соответственно. Через окна, предусмотренные в двуокиси кремния, выполняются металлические соединения с истоком и стоком. Узкий поверхностный канал из материала n-типа соединяет исток и сток; в других случаях канал может быть индуцированным - создаваемым под действием напряжения, приложенного к затвору. Когда на затвор транзистора с индуцированным каналом подается положительное напряжение, расположенный под затвором слой p-типа превращается в слой n-типа, и ток, управляемый и модулируемый сигналом, поступающим на затвор, течет от истока к стоку. МОП-транзистор потребляет очень небольшую мощность; он имеет высокое входное сопротивление, отличается низким током цепи стока и очень низким уровнем шумов. Поскольку затвор, оксид и кремний образуют конденсатор, такое устройство широко используется в системах компьютерной памяти (см. ниже). В комплементарных, или КМОП-схемах, МОП-структуры применяются в качестве нагрузок и не потребляют мощности, когда основной МОП-транзистор находится в неактивном состоянии.
После завершения обработки пластины разрезают на части. Операция резки выполняется дисковой пилой с алмазными кромками. Каждый кристаллик (чип, или ИС) заключается затем в корпус одного из нескольких типов. Для подсоединения компонентов ИС к рамке выводов корпуса используется золотая проволока толщиной 25 мкм. Более толстые выводы рамки позволяют подсоединить ИС к электронному устройству, в котором она будет работать.
Надежность. Надежность интегральной схемы примерно такая же, как у отдельного кремниевого транзистора, эквивалентного по форме и размеру. Теоретически транзисторы могут безотказно служить тысячи лет - один из важнейших факторов для таких областей применения, как ракетная и космическая техника, где единственный отказ может означать полный провал осуществляемого проекта.
Микропроцессоры и миникомпьютеры. Впервые представленные публично в 1971 микропроцессоры выполняли большинство основных функций компьютера на единственной кремниевой ИС, реализованной на кристалле размером 5?5 мм. Благодаря интегральным схемам стало возможным создание миникомпьютеров - малых ЭВМ, где все функции выполняются на одной или нескольких больших интегральных схемах. Такая впечатляющая миниатюризация привела к резкому снижению стоимости вычислений. Выпускаемые в настоящее время мини-ЭВМ ценой менее 1000 долл. по своей производительности не уступают первым очень большим вычислительным машинам, стоимость которых в начале 1960-х годов доходила до 20 млн. долл. Микропроцессоры находят применение в оборудовании для связи, карманных калькуляторах, наручных часах, селекторах телевизионных каналов, электронных играх, автоматизированном кухонном и банковском оборудовании, средствах автоматического регулирования подачи топлива и нейтрализации отработавших газов в легковых автомобилях, а также во многих других устройствах. Большая часть мировой электронной индустрии, оборот которой превышает 15 млрд. долл., так или иначе зависит от интегральных схем. В масштабах всего мира интегральные схемы находят применение в оборудовании, суммарная стоимость которого составляет многие десятки миллиардов долларов.
Компьютерные запоминающие устройства. В электронике термин "память" обычно относится к какому-либо устройству, предназначенному для хранения информации в цифровой форме. Среди множества типов запоминающих устройств (ЗУ) рассмотрим ЗУ с произвольной выборкой (ЗУПВ), приборы с зарядовой связью (ПЗС) и постоянные ЗУ (ПЗУ).
У ЗУПВ время доступа к любой ячейке памяти, находящейся на кристалле, одинаково. Такие устройства могут запоминать 65 536 бит (двоичных единиц, обычно 0 и 1), по одному биту на ячейку, и представляют собой широко используемый тип электронной памяти; на каждом чипе у них насчитывается ок. 150 тыс. компонентов. Выпускаются ЗУПВ емкостью 256 Кбит (К = 210 = 1024; 256 К = 262 144). В устройствах памяти с последовательной выборкой циркуляция запомненных битов происходит как бы по замкнутому конвейеру (в ПЗС используется именно такой тип выборки). В ПЗС, представляющем собой ИС специальной конфигурации, пакеты электрических зарядов могут размещаться под расположенными на малых расстояниях друг от друга крошечными металлическими пластинками, электрически изолированными от чипа. Заряд (или его отсутствие) может, таким образом, перемещаться по полупроводниковому устройству от одной ячейки к другой. В результате появляется возможность запоминания информации в виде последовательности единиц и нулей (двоичного кода), а также доступа к ней, когда это требуется. Хотя ПЗС не могут конкурировать с ЗУПВ по быстродействию, они способны обрабатывать большие объемы информации при меньших затратах, и их используют там, где память с произвольной выборкой не требуется. ЗУПВ, выполненное на такой ИС, является энергозависимым, и записанная в нем информация теряется при отключении питания. В ПЗУ информация заносится в ходе производственного процесса и хранится постоянно.
Разработки и выпуск ИС новых типов не прекращаются. В стираемых программируемых ПЗУ (СППЗУ) имеются два затвора, расположенные один над другим. При подаче напряжения на верхний затвор нижний может приобрести заряд, что соответствует 1 двоичного кода, а при переключении (реверсе) напряжения затвор может потерять свой заряд, что соответствует 0 двоичного кода. См. также ОРГТЕХНИКА И КАНЦЕЛЯРСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ; КОМПЬЮТЕР; ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА СВЯЗИ; ИНФОРМАЦИИ НАКОПЛЕНИЕ И ПОИСК.
Интегральная схема
МИКРОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО НА КРИСТАЛЛЕ КРЕМНИЯ
Микросхема; Интегральная микросхема; Микрочип; Видеочип; Интегральные микросхемы; Классификация микросхем по степени интеграции (СССР); Степень интеграции; Классификация микросхем по степени интеграции в СССР; Большая интегральная схема; СБИС; Логические микросхемы; Интегральный чип; Микросхемы; ИМС; Топологии интегральных микросхем; Аналоговая интегральная схема; Аналоговая интегральная микросхема; Кристалл (микроэлектроника); Цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая интегральная схема; Аналого-цифровая микросхема; Цифровые схемы; Цифровая схема; Аналоговая микроэлектроника; Цифровая микроэлектроника; Аналоговая схема; Аналоговые схемы; Цифровая микросхема; Аналоговая микросхема; Аналого-цифровая схема; Логическая микросхема; Логическая схема; Производство микросхем; Подложка микросхемы
интегральная микросхема, микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически. Различают 2 основных типа И. с.: полупроводниковые (ПП) и плёночные.
ПП И. с. (рис. 1) изготавливают из особо чистых ПП материалов (обычно кремний, германий), в которых перестраивают саму решётку кристаллов так, что отдельные области кристалла становятся элементами сложной схемы. Маленькая пластинка из кристаллического материала размерами Интегральная схема1 мм2 превращается в сложнейший электронный прибор, эквивалентный радиотехническому блоку из 50-100 и более обычных деталей. Он способен усиливать или генерировать сигналы и выполнять многие другие радиотехнические функции.
Технология изготовления ПП И. с. обеспечивает одновременную групповую обработку сразу большого количества схем. Это определяет в значительной степени идентичность схем по характеристикам. ПП И. с. имеют высокую надёжность за счёт использования планарного процесса (См. Планарный процесс) изготовления и значительного сокращения числа микросоединений элементов в процессе создания схем.
ПП И. с. развиваются в направлении всё большей концентрации элементов в одном и том же объёме ПП кристалла, т. е. в направлении повышения степени интеграции И. с. Разработаны И. с., содержащие в одном кристалле сотни и тысячи элементов. В этом случае И. с. превращается в большую интегральную систему (БИС), которую невозможно разрабатывать и изготовлять без использования электронных вычислительных машин (См. Электронная вычислительная машина) высокой производительности.
Плёночные И. с. создаются путём осаждения при низком давлении (порядка 1․10-5 мм рт. ст.) различных материалов в виде тонких (толщиною < 1 мкм) или толстых (толщиной > 1 мкм) плёнок на нагретую до определённой температуры полированную подложку (обычно из керамики). В качестве материалов применяют алюминий, золото, титан, нихром, окись тантала, моноокись кремния, титанат бария, окись олова и др. Для получения И. с. с определёнными функциями создаются тонкоплёночные многослойные структуры осаждением на подложку через различные маски (трафареты) материалов с необходимыми свойствами. В таких структурах один из слоев содержит микрорезисторы, другой - микроконденсаторы, несколько следующих - соединительные проводники тока и другие элементы. Все элементы в слоях имеют между собой связи, характерные для конкретных радиотехнических устройств.
Плёночные элементы распространены в гибридных И. с. (рис. 2). В этих схемах на подложку сначала наносятся в виде тонких или толстых плёнок пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, проводники тока), а затем с помощью микроманипуляторов монтируют активные элементы - бескорпусные ПП микроэлементы (транзисторы и диоды).
По своим конструктивным и электрическим характеристикам ПП и гибридные И. с. дополняют друг друга и могут одновременно применяться в одних и тех же радиоэлектронных комплексах. В целях защиты от внешних воздействий И. с. выпускают в защитных корпусах (рис. 3). По количеству элементов различают И. с.: 1-й степени интеграции (до 10 элементов), 2-й степени интеграции (от 10 до 100) и т. д.
Размеры отдельных элементов И. с. очень малы (порядка 0,5-10 мкм) и подчас соизмеримы с размерами пылинок (1-100 мкм). Поэтому производство И. с. осуществляется в особо чистых условиях. О технологических процессах изготовления И. с. см. в ст. Микроэлектроника.
Создание И. с. развивается по нескольким направлениям: гибридные И. с. с дискретными активными элементами; ПП И. с., выполненные в монолитном блоке ПП материала; совмещенные И. с., в которых активные элементы выполнены в монолитном блоке ПП материала, а пассивные элементы нанесены в виде тонких плёнок; плёночные И. с., в которых активные и пассивные элементы нанесены на подложку в виде тонких плёнок. О применении И. с. см. в ст. Интегральная электроника.
Лит.: Колосов Д. А., Горбунов Ю. И., Наумов Ю. Е., Полупроводниковые твердые схемы, М., 1965; Интегральные схемы. Принципы конструирования и производства, пер, с англ., под ред. А. А. Колосова, М., 1968; Интегральные схемы. Основы проектирования и технологии, пер. с англ., под ред. К. И. Мартюшова, М., 1970.
И. Е. Ефимов.
Рис. 1. Поперечное сечение и электрическая схема полупроводниковой интегральной схемы. На рис. сгущенными точками показаны слои проводников тока из алюминия; разреженными точками показаны слои полупроводника из двуокиси кремния; косыми линиями показаны слои кремния с проводимостью n, с повышенной проводимостью n+ и р - типов: участок полупроводника (подложка )с проводимостью р - типа а образует конденсатор б, транзистор в, резистор г; цифрами отмечены участки интегральной схемы, соответственно обозначенные на электрической схеме.
Рис. 2. Поперечное сечение и электрическая схема гибридной интегральной схемы. На рис. разреженными точками показаны слои полупроводника из окиси кремния; вертикальными разреженными линиями показан слой хрома; вертикальными сгущенными линиями показан слой из хромистого никеля (NiCr); горизонтальными линиями показаны слои проводников тока из золота или серебра; на керамической подложке а выполнены конденсатор б, транзистор в, резистор г; цифрами отмечены участки интегральной схемы, соответственно обозначенные на электрической схеме.
Гибридная криптосистема
Гибридная криптографическая система
Гибри́дная (или комбини́рованная) криптосисте́ма — это система шифрования, совмещающая преимущества криптосистемы с открытым ключом с производительностью симметричных криптосистем. Симметричное шифрование имеет высокую скорость и короткие ключи, но требует передачи ключа в защищённом виде, асимметричное позволяет передавать стойкий ключ открыто, но имеет невысокую производительность. В гибридной же системе симметричный ключ используется для шифрования данных, а асимметричный для шифрования самого симметричного ключа, иначе это называется числ
Векторная схема разделения секрета
Векторная схема; Схема Блэкли
Векторная схема разделения секрета, или схема Блэкли (), — схема разделения секрета между сторонами, основанная на использовании точек многомерного пространства. Предложена Джорджем Блэкли в 1979 году. Схема Блэкли позволяет создать (t, n)-пороговое разделение секрета для любых t, n.
Википедия
Гибридная микросхема
Гибридная интегральная схема (гибридная микросхема, микросборка, ГИС, ГИМС) — интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, конденсаторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные, плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.
Резисторы, контактные площадки и электрические проводники в ГИС изготавливают либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакуумных установках (метод напыления через маски, метод фотолитографии — ГИС тонкоплёночной технологии), либо нанесением их в виде плёнок (химические способы, метод шёлкографии и др. — ГИС толстоплёночной технологии).
Величины плёночных резисторов могут быть скорректированы в процессе производства с помощью лазерной подгонки (лазерное воздействие локально испаряет материал резистора, уменьшая его сечение), что необходимо, например, для создания высокоточных ЦАП и АЦП.
Навесные элементы крепят на одной подложке с плёночными элементами, а их выводы присоединяют к соответствующим контактным площадкам пайкой или сваркой. ГИС, как правило, помещают в корпус и герметизируют. Применение ГИС в электронной аппаратуре повышает её надёжность, уменьшает габариты и массу.
Гибридные МС являются дальнейшим развитием идеи микромодулей — компактных законченных функциональных блоков, собранных на миниатюрных бескорпусных элементах очень плотным монтажом. Микромодули же, в свою очередь, продолжают идеи компактронов — комбинированных радиоламп, содержащих в одном баллоне 3 и более лампы. Ещё до Второй Мировой войны существовали компактроны, в которых сразу были выполнены межэлектродные соединения ламп в нужную схему, а также имелись проволочные резисторы и дроссели, это и были первые микромодули и непосредственные предки гибридных МС.
Наиболее массово выпускаются гибридные интегральные микросхемы кварцевых генераторов.
